发明名称 一种磷硼预扩散工艺用测试片的循环利用方法
摘要 本发明揭示了一种磷硼预扩散工艺用测试片的循环利用方法,先将回收测试片通过100~120℃的硫酸和双氧水混合溶液中浸泡及室温下纯水冲洗,去除回收测试片表面油脂,纤维及分子型沾污;再利用二氧化硅刻蚀液或氢氟酸刻蚀去除其表面的富磷/硼氧化层膜;最后利用酸性混合液对回收的测试片进行刻蚀减薄至规格标准。实施本发明的技术方案并将其投入生产工艺后,其突出效果为:一者采用化学方法减薄,操作简便且成本低廉;再者对于磷/硼预扩散的测试片,不需要考虑OISF的影响,故不需要退火工艺,简化了工艺流程;并且使用本发明循环利用方法可以提高测试片的重复利用率,降低成本两倍以上。
申请公布号 CN103000544B 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201110269369.9 申请日期 2011.09.13
申请人 康可电子(无锡)有限公司 发明人 赵峰;刘明
分类号 H01L21/66(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人 陈忠辉
主权项 一种磷硼预扩散工艺用测试片的循环利用方法,其特征为包括步骤:Ⅰ、回收磷硼预扩散工艺使用过的测试片;将回收测试片在100~120℃的硫酸和双氧水混合溶液中浸泡10分钟,并在室温下纯水冲洗12分钟,去除回收测试片表面油脂,纤维及分子型沾污;Ⅱ、使用质量含量48%的氢氟酸刻蚀经步骤Ⅰ处理所得的回收测试片,刻蚀时间按回收测试片上实际的富磷硼氧化层膜厚满足过刻蚀计算得到,并再在室温下纯水冲洗12分钟,去除回收测试片表面生长的富磷硼氧化层膜;Ⅲ、将硝酸、氢氟酸、醋酸混合,对经步骤Ⅱ处理所得的回收测试片进行单面或双面刻蚀减薄,刻蚀深度以回收测试片的衬底电阻率与正常测试片的衬底电阻率相一致;Ⅳ、测量回收测试片厚度,并将步骤Ⅲ得到的回收测试片减薄20μm制得可循环利用的测试片,所述减薄20μm为回收测试片每个单面分别减薄10μm之和。
地址 214142 江苏省无锡市硕放工业园振发六路东1号