发明名称 |
一种含有三氧化钼的低熔点琉璃及其制造方法 |
摘要 |
本发明属于工艺品和首饰品生产领域,具体说是一种添加了新型的低熔点化学成分生产的新型琉璃及其制造方法。其特征在于本发明的原料为氧化铅、二氧化硅、三氧化钼、碳酸钠、碳酸钙、颜料中的全部或部分,制备步骤为: (1)称量;(2)破碎、研磨;(3)混合、搅拌;(4)熔炼;(5)打磨、抛光。根据本发明制备的琉璃产品的熔点低于普通的琉璃产品,因此,这种新型琉璃的成型性能优于普通琉璃,适合生产形状复杂、尺寸精细的高档产品,此外,产品的质量稳定、容易控制。本发明使用的原料价格低廉、生产工艺简单,产品的生产成本低,从而具有广阔的应用前景。 |
申请公布号 |
CN103553331B |
申请公布日期 |
2016.04.13 |
申请号 |
CN201310509469.3 |
申请日期 |
2013.10.25 |
申请人 |
由伟 |
发明人 |
由伟;冯润森;李旭 |
分类号 |
C03C3/102(2006.01)I |
主分类号 |
C03C3/102(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种低熔点琉璃,其特征在于,其原料为氧化铅、二氧化硅、三氧化钼、碳酸钠、碳酸钙、颜料,其重量化学组成为:氧化铅:15‑35%,二氧化硅:50‑75%,三氧化钼:1‑20%,碳酸钠:0‑20%,碳酸钙:0‑20%,颜料:0‑20%,各组分重量百分比之和为100%。 |
地址 |
065201 河北省廊坊市三河市燕郊开发区学院大街808号华北科技学院机电系 |