| 发明名称 | 提高功率放大器环形器隔离度的方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高功率放大器环形器隔离度的方法及装置。该方法包括：计算环形器的第一端口和第二端口的隔离度与和第三端口的负载阻抗的关系，确定隔离度最大时第三端口的负载阻抗要求；根据第三端口的负载阻抗要求进行环形器的阻抗匹配设计。借助于本发明的技术方案，能够调整优化功放指标，提高基站性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105490644A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201410531083.7 | 申请日期 | 2014.10.10 |
| 申请人 | 中兴通讯股份有限公司 | 发明人 | 刘晓磊;田建伟;沈双凤 |
| 分类号 | H03F1/02(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 秦莹 |
| 主权项 | 一种提高功率放大器环形器隔离度的方法，其特征在于，包括：计算环形器的第一端口和第二端口的隔离度与第三端口的负载阻抗的关系，确定所述隔离度最大时所述第三端口的负载阻抗要求；根据所述第三端口的负载阻抗要求进行所述环形器的阻抗匹配设计。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部 | ||