采用双重图形化技术形成栅极的方法

摘要

本申请提供了一种采用双重图形化技术形成栅极的方法。该方法包括：步骤S1，在半导体衬底上依次设置栅氧层、第一多晶硅层、栅介质层；步骤S2，进行第一次光刻和第一次刻蚀，在栅介质层中形成第一凹槽；步骤S3，进行第二次光刻和第二次刻蚀，在栅介质层中形成第二凹槽；步骤S4，沿第一凹槽和第二凹槽的侧壁，对第一多晶硅层和栅氧层进行刻蚀，形成栅极，栅介质层包括第二多晶硅层。栅介质层中的多晶硅的对光具有较高的敏感强度，因此利用裸露在第一凹槽处的第二多晶硅层提供的强光信号，实现改善第二次光刻的对准精确度，进而能够较好地控制关键尺寸的均匀度，使得两次刻蚀工艺形成的关键尺寸相当，有利于提高产品的性能和良率。

主权项

一种采用双重图形化技术形成栅极的方法，所述方法包括：步骤S1，在半导体衬底上依次设置栅氧层、第一多晶硅层、栅介质层；步骤S2，进行第一次光刻和第一次刻蚀，在所述栅介质层中形成第一凹槽；步骤S3，进行第二次光刻和第二次刻蚀，在所述栅介质层中形成第二凹槽；步骤S4，沿所述第一凹槽和所述第二凹槽的侧壁，对所述第一多晶硅层和栅氧层进行刻蚀，形成栅极，其特征在于，所述栅介质层包括第二多晶硅层。