| 发明名称 | 一体式晶体掩膜 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开一种一体式晶体掩膜，包括位于基片上的石英晶体振荡器芯片结构，以及与所述石英晶体振荡器芯片结构同基片，且与所述石英晶体振荡器芯片结构同时制作成形的晶体掩膜。本实用新型公开的一体式晶体掩膜，实现了振荡器芯片的一体化镀膜，即在对振荡器芯片进行侧面电极镀膜时，可直接利用同一基片上的晶体掩膜，对振荡器芯片进行三维电极镀膜工艺，这种一体式晶体掩膜工艺，提高了振荡器芯片的电极成形精度，降低了振荡器芯片电极成形精度对晶体振荡器性能的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN205152315U | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201520983398.5 | 申请日期 | 2015.12.01 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 发明人 | 李文蕴;林日乐;林丙涛;董宏奎;谢佳维;满欣 |
| 分类号 | C23C14/04(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 | 代理人 | 江涛 |
| 主权项 | 一体式晶体掩膜，其特征在于，包括位于基片上的石英晶体振荡器芯片结构，以及与所述石英晶体振荡器芯片结构同基片，且与所述石英晶体振荡器芯片结构同时制作成形的晶体掩膜。 | ||
| 地址 | 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号 | ||