发明名称 一种立式LED芯片
摘要 本实用新型提供一种立式LED芯片及其制作方法,所述立式LED芯片包括:衬底、外延结构、形成于切割道及紧靠于所述切割道的第一边缘的N电极引线区域的台面、N电极引线、绝缘层、P电极引线、P焊盘、以及N焊盘。本实用新型通过将P电极焊盘及N电极焊盘制作于LED芯片的同一边缘上,并通过侧立的方式将N电极焊盘及P电极焊盘焊接于支撑衬底,实现电性引出,使得LED芯片的正面以及背面都可以同时出光,不需要制作反射镜等结构,降低了LED芯片的制作成本,并大大提高了LED芯片的出光效率。本实用新型通过芯片结构的调整使LED芯片具备正反面同时出光的特性,可以增加一倍的LED芯片有效出光面积。
申请公布号 CN205159351U 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201520983618.4 申请日期 2015.12.01
申请人 上海博恩世通光电股份有限公司 发明人 杨杰;常文斌;林宇杰
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 罗泳文
主权项 一种立式LED芯片,其特征在于,包括:衬底;外延结构,包括依次层叠的N型层、量子阱层以及P型层;透明导电层,形成于所述外延结构表面;台面,形成于切割道及紧靠于所述切割道的第一边缘的N电极引线区域,所述台面直至N型层内部;N电极引线,形成于所述N电极引线区域;绝缘层,其于N电极引线的部分区域以及P电极引线区域具有开孔,且所述P电极引线的开孔的一端延伸至所述切割道区域的第一边缘;P电极引线,形成于P电极引线的开孔内;P焊盘,形成于切割道的第一边缘区域,并与所述P电极引线相连;N焊盘,形成于切割道的第一边缘区域,并通过开孔与N电极引线相连。
地址 201108 上海市闵行区元明路128号一层、二层