半导体基板的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体基板的制造方法，所述方法即使在使用在其表面具有存在纳米级的微小空隙的三维结构的半导体基板时，也能够抑制半导体基板中的缺陷的发生、同时良好且均匀地使杂质扩散成分扩散至包括微小空隙的整个内表面在内的、半导体基板的涂布扩散剂组合物的全部位置。使用含有杂质扩散成分(A)和可通过水解生成硅醇基的Si化合物(B)的扩散剂组合物，在半导体基板表面形成膜厚为30nm以下的涂布膜，从而使杂质扩散成分良好且均匀地从涂布膜扩散至半导体基板。

主权项

一种半导体基板的制造方法，其包含如下工序：在半导体基板上涂布扩散剂组合物，形成膜厚为30nm以下的涂布膜的涂布工序，和使所述扩散剂组合物中的杂质扩散成分(A)扩散至所述半导体基板的扩散工序，所述扩散剂组合物含有所述杂质扩散成分(A)和可通过水解生成硅醇基的Si化合物(B)。