制造半导体器件的方法

摘要

本申请涉及制造半导体器件的方法。在性能上改进一种包括非易失性存储器单元和场效应晶体管在一起的半导体器件。在制造半导体器件的方法中，在热处理半导体晶片之前形成含氢绝缘膜，含氢绝缘膜覆盖在其中将具有存储器单元的区域中的栅极电极和栅极绝缘膜以及暴露其中将具有配置外围电路的MISFET的区域。因而，向在栅极绝缘膜与半导体衬底之间的界面中扩散含氢绝缘膜中的氢，由此有选择地修复在界面处的缺陷。

主权项

一种制造包括非易失性存储器的存储器单元的半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底具有包括第一区域和第二区域的上表面；(b)在所述第一区域中在所述半导体衬底之上形成第一栅极电极，其中包括电荷存储膜的第一绝缘膜在所述半导体衬底与所述第一栅极电极之间，以及在所述第二区域中在所述半导体衬底之上形成第二栅极电极，其中第二绝缘膜在所述半导体衬底与所述第二栅极电极之间；(c)在所述第一区域中在所述半导体衬底之上形成含氢绝缘膜，所述含氢绝缘膜覆盖所述第一绝缘膜和所述第一栅极电极并且暴露所述第二区域；(d)在所述步骤(c)之后，对所述半导体衬底执行热处理；(e)在所述步骤(d)之后，去除所述含氢绝缘膜；以及(f)在所述半导体衬底的部分的主表面之上形成第一源极/漏极区域，所述部分位于所述第一栅极电极的两侧上，以及在所述半导体衬底的部分的主表面之上形成第二源极/漏极区域，所述部分位于所述第二栅极电极的两侧上，其中所述第一源极/漏极区域、所述第一绝缘膜和所述第一栅极电极配置所述存储器单元，以及其中所述第二源极/漏极区域、所述第二绝缘膜和所述第二栅极电极配置场效应晶体管。