| 发明名称 | 透明导电性膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×10<sup>20</sup>原子/cm<sup>3</sup>以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10<sup>-4</sup>Ω·cm以上且2.8×10<sup>-4</sup>Ω·cm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN105492653A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201580001716.6 | 申请日期 | 2015.04.28 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 藤野望;梨木智刚;加藤大贵;待永广宣;佐佐和明;上田惠梨;松田知也 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 葛凡 |
| 主权项 | 一种透明导电性膜，是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×10<sup>20</sup>原子/cm<sup>3</sup>以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10<sup>‑4</sup>Ω·cm以上且2.8×10<sup>‑4</sup>Ω·cm以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||