| 发明名称 | VDMOS沟槽刻蚀方法及VDMOS | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种VDMOS沟槽刻蚀方法，该方法在真空腔体中采用感应耦合等离子体刻蚀工艺对半导体衬底进行刻蚀，在刻蚀的过程中所述真空腔体的压力为120到130毫托。本发明中，由于提高了刻蚀过程中真空腔体内的压力，这样能够有效降低等离子体在沟槽底部的存在时间，降低化学反应速率，从而使刻蚀过程更加可控，能够有效避免沟槽底部的过刻。 | ||
| 申请公布号 | CN105489482A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201410476065.3 | 申请日期 | 2014.09.17 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李相雨 |
| 主权项 | 一种垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管VDMOS沟槽刻蚀方法，其特征在于，该方法在真空腔体中采用感应耦合等离子体刻蚀工艺对半导体衬底进行刻蚀，在刻蚀的过程中所述真空腔体的压力为120到130毫托。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦 | ||