发明名称 |
高焊线质量的芯片框架及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种芯片框架。本发明的高焊线质量的芯片框架包括框架本体,所述框架本体分为用于封装芯片的框架正面和与框架正面对应的框架背面,所述框架正面涂敷有钯银金镍合金保护层,所述框架背面涂敷有镍钯金保护层。将芯片框架的正面和背面分别涂敷不同的保护层,框架正面涂敷钯银金镍合金保护层,框架背面涂敷镍钯金保护层,利用钯银金镍合金涂层使封装在框架正面的芯片引线焊接时速度快、质量好,并利用框架背面涂敷的镍钯金保护层,保护框架和引线脚不变色,进而使整个框架的焊线质量高、焊接速度快且框架和引线脚不会变色,解决该领域长期存在的技术缺陷,具有较优的技术效果。 |
申请公布号 |
CN105489506A |
申请公布日期 |
2016.04.13 |
申请号 |
CN201610017356.5 |
申请日期 |
2016.01.12 |
申请人 |
成都先进功率半导体股份有限公司 |
发明人 |
许兵;樊增勇;李宁;崔金忠 |
分类号 |
H01L21/48(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/48(2006.01)I |
代理机构 |
四川力久律师事务所 51221 |
代理人 |
王芸;熊晓果 |
主权项 |
高焊线质量的芯片框架,包括框架本体,其特征在于,所述框架本体分为用于封装芯片的框架正面和与框架正面对应的框架背面,所述框架正面涂敷有钯银金镍合金保护层,所述框架背面涂敷有镍钯金保护层。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区西区高新综合保税区B区科新路8-88号 |