发明名称 一种全背电极太阳能电池的生产工艺
摘要 本发明公开了一种全背电极太阳能电池的生产工艺,包括:(1)在n型硅衬底硅片背面形成具有指状交叉排列的背面n+扩散层区域、背面p+扩散层区域;在n型硅衬底硅片前表面形成前表面n+扩散层;(2)将n型硅衬底硅片进行退火氧化处理形成氧化层;(3)在n型硅衬底硅片的前表面和背面沉积钝化层;在前表面钝化层上沉积增反层;(4)将导电浆料印刷在背面钝化层上,烧结后,分别在背面p+扩散层区域和背面n+扩散层区域上形成接触电极,完成全背电极太阳能电池的制造。本发明将单一导电浆料同时印刷在背面p+扩散层和n+扩散层上的钝化层上,烧结后在p+扩散层和n+扩散层上形成低接触电阻的指状交叉导电电极,简化了IBC电池的生产工艺,降低了IBC电池的生产成本。
申请公布号 CN105489710A 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201610046118.7 申请日期 2016.01.22
申请人 四川银河星源科技有限公司 发明人 李运钧;朱航;杨蔚;曾国平;杨墨熹;李昕
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人 周庆佳
主权项 一种全背电极太阳能电池的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、在n型硅衬底硅片背面分别进行磷、硼局部扩散,形成具有指状交叉排列的背面n+扩散层区域、背面p+扩散层区域;在n型硅衬底硅片前表面进行磷扩散,形成前表面n+扩散层;步骤二、将n型硅衬底硅片进行退火氧化处理,在n型硅衬底硅片的前后表面形成氧化层;步骤三、在n型硅衬底硅片的前表面和背面沉积钝化层,形成前表面钝化层和背面钝化层;在前表面钝化层上沉积增反层,形成前表面增反层;步骤四、将导电浆料单次印刷在背面指状交叉的p+扩散层区域和背面n+扩散层区域的钝化层上,然后烧结,烧结后,所述导电浆料同时烧穿背面钝化层并分别在背面p+扩散层区域和背面n+扩散层区域上形成接触电极,完成全背电极太阳能电池的制造。
地址 622650 四川省绵阳市安县工业园区(花荄镇)