一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法

摘要

本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其界面处理的方法，改进了异质结太阳能电池的界面处理方法，在沉积氢化非晶硅n膜层或氢化非晶硅p膜层前，对传送到其沉积腔室的氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理，清除氢化非晶硅i膜层在沉积传送过程中再次产生的沾污，保证氢化非晶硅i膜层膜层与氢化非晶硅p膜层之间的界面以及氢化非晶硅i膜层膜层与氢化非晶硅n膜层之间的界面性能，提高电池性能。

主权项

一种硅异质结太阳能电池的界面处理方法，其特征在于：S1、在氢化非晶硅i膜层的沉积腔室中沉积氢化非晶硅i膜层；S2、进行下述任一或任意组合的步骤：A对传送到氢化非晶硅n膜层的沉积腔室中的所述氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理，在所述氢化非晶硅i膜层上沉积氢化非晶硅n膜层；B对传送到氢化非晶硅p膜层的沉积腔室中的所述氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理，在所述氢化非晶硅i膜层上沉积氢化非晶硅p膜层。