保护集成电路芯片免受激光攻击的方法

摘要

一种保护集成电路芯片免受激光攻击的方法，该芯片形成在半导体衬底的内部与顶部上，且在衬底上部中包含形成组件的有源部分，该方法包括的步骤为：在衬底中制成一延伸于有源部分下方的吸杂区域，该区域的上限在距衬底的上表面范围在5微米和50微米之间的深度处，以及在衬底中引入扩散的金属杂质。

主权项

一种用于保护集成电路芯片(21；31)免受激光攻击的方法，所述集成电路芯片形成在半导体衬底(3)的内部和顶部上，并且在衬底的上部中包含形成组件的有源部分(5)，该方法包括以下步骤：在所述衬底中形成延伸于所述有源部分(5)下方的吸杂区域(23；33)，该区域的上限在距所述衬底的上表面范围在5微米和50微米之间的深度处；以及在所述衬底中引入金属杂质，所述金属杂质适合于以范围在每立方厘米10¹⁷和10¹⁸个原子之间的浓度保留在所述吸杂区域中。