发明名称 二硫苏糖醇膜汞离子选择电极方法
摘要 本发明公开了一种二硫苏糖醇膜汞离子选择电极(1),该选择电极包括一个二硫苏糖醇膜层(25)修饰工作金膜(12)的基片(11),该基片(11)上覆盖的工作金膜(12)与引脚金膜(13)通过金膜层相连,引脚金膜(13)与外包有塑料绝缘层(14)的金属丝导线(15)通过焊锡(16)相连接;所述基片(11)是在抛光的硅硼酸盐基板(21)上逐步溅射沉积二氧化硅膜层(22)、金属钛膜层(23)、铜合金膜层(24)及金膜层;且工作金膜(12)表面上组装修饰二硫苏糖醇膜层(25)。该选择电极制作简单、成本低廉、使用方便,可用于环境中微量汞离子的快速检测,检测下限达到5.4nmol/L。
申请公布号 CN103760205B 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201410064648.5 申请日期 2014.02.26
申请人 长沙理工大学 发明人 曹忠;梁海琴;曹婷婷;袁美玲;付勇;肖忠良
分类号 G01N27/333(2006.01)I 主分类号 G01N27/333(2006.01)I
代理机构 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人 王安娜;李翔
主权项 一种二硫苏糖醇膜汞离子选择电极(1),其特征在于该选择电极包括一个二硫苏糖醇膜层(25)修饰的工作金膜(12)的基片(11),该基片(11)上覆盖的工作金膜(12)与引脚金膜(13)通过金膜层相连,引脚金膜(13)与外包有塑料绝缘层(14)的金属丝导线(15)通过焊锡(16)相连接,连接处用环氧树脂胶(17)包裹密封;所述基片(11)的制备过程如下:采用磁控溅射镀膜法,通过控制镀膜真空度≤2.0×10<sup>‑3</sup>Pa,<img file="FDA0000887458150000011.GIF" wi="406" he="67" />在抛光的硅硼酸盐基板(21)表面上逐步溅射沉积二氧化硅膜层(22)、金属钛膜层(23)、铜合金膜层(24);铜合金膜层(24)经抛光处理后,再采用掩膜版法在其表面上溅射沉积工作金膜(12)和引脚金膜(13);工作金膜(12)经化学清洗处理后再在其表面上组装修饰二硫苏糖醇膜层(25);铜合金膜层(24)材料各组份的质量百分含量分别为:Cu 45~60%、Mn 20~28%、Ni 12~24%、Fe 4~9%、Ti 0.1~0.4%、Nb 0.01~0.05%。
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