一种Sn掺杂CrO₂薄膜及其制备方法

摘要

本发明具体涉及一种Sn掺杂CrO₂薄膜及其制备方法。其技术方案是：先将75~99.99份质量的CrO₃装入石英舟内，将0.01~25份质量的SnCl₂装入另一石英舟内，再将上述两个石英舟放入双温区管式炉的低温区，将TiO₂单晶基片放入双温区管式炉的高温区；在持续通入O₂的条件下，先将高温区加热至360℃~420℃，开始保温，高温区保温的终止时间与低温区保温的终止时间相同；在高温区开始保温时，对低温区加热至240℃~300℃，保温2~8h；自然冷却，即在单晶基片上制得Sn掺杂CrO₂薄膜。本发明具有操作简单和能较快地进行工业化生产的特点，用该方法制备的Sn掺杂CrO2薄膜在磁性能无较大变化的情况下热稳定性有了较大的提高，应用范围广泛。

主权项

一种Sn掺杂CrO₂薄膜的制备方法，其特征在于所述的制备方法是：步骤一、先将75～99.99份质量的CrO₃装入石英舟内，将0.01～25份质量的SnCl₂装入另一石英舟内，再将所述石英舟和所述另一石英舟放入双温区管式炉的低温区，将TiO₂单晶基片放入双温区管式炉的高温区；步骤二、在150～250mL/min的流速向管式炉内持续通入O₂的条件下，先将高温区加热至360℃～420℃，开始保温，高温区保温的终止时间与步骤三的低温区保温的终止时间相同；步骤三、在高温区开始保温时，对低温区开始加热，加热至240℃～300℃，保温2～8h；步骤四、自然冷却，即在单晶基片上制得Sn掺杂CrO₂薄膜。