| 发明名称 | 一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺，所述剥离液包括剥离剂、润湿剂、有机胺或有机铵盐、缓蚀剂、助剂和有机溶剂。所述剥离液对各种芯片具有良好的光刻胶剥离和溶解能力，能够完全去除光刻胶，无残留，此外还能保证无腐蚀，具有广泛的工业应用潜力和价值。 | ||
| 申请公布号 | CN103676505B | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201310719197.X | 申请日期 | 2013.12.23 |
| 申请人 | 大连奥首科技有限公司 | 发明人 | 侯军;李波 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人 | 郭官厚 |
| 主权项 | 一种用于芯片的光刻胶剥离液，所述光刻胶剥离液包括下述重量份的各种组分：<img file="FDA0000876604500000011.GIF" wi="774" he="531" />所述剥离剂为全氟烷基乙氧基聚氧乙烯醚，其结构式为C<sub>m</sub>F<sub>2m+1</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O(C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>O)<sub>n</sub>H，m和n均选自6‑12的整数；所述润湿剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚，结构式为R<sup>1</sup>O(C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>O)<sub>p</sub>(C<sub>3</sub>H<sub>6</sub>O)<sub>q</sub>H，其中R<sup>1</sup>为C<sub>10</sub>‑C<sub>18</sub>的直链或支链烷基，p为4‑12之间的整数，q为4‑10之间的整数；所述缓蚀剂为6‑氯‑1‑羟基苯并三氮唑。 | ||
| 地址 | 116025 辽宁省大连市高新园区火炬路1号A座201-1 | ||