高电子迁移率晶体管及其制造方法

摘要

本发明提出一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)及其制造方法。高电子迁移率晶体管包含：半导体层，其具有半导体层能带间隙；阻障层，形成于半导体层上，其具有阻障层能带间隙；压电层，形成于阻障层上，其具有压电层能带间隙，其中，压电层能带间隙、阻障层能带间隙、与半导体层能带间隙之间，相互间具有一部分相互重叠与另一部分相互不重叠；栅极，形成于压电层上，用以接收栅极电压，进而导通或不导通HEMT；以及源极与漏极，分别形成于栅极两侧；其中，于除压电层下方外的半导体层与阻障层的至少一部分接面，形成二维电子云(2-D electron gas,2DEG)，且该二维电子云与源极及漏极电连接。

主权项

一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：一半导体层，该半导体层具有一半导体层能带间隙；一阻障层，形成于该半导体层上，并与该半导体层连接，该阻障层具有一阻障层能带间隙；一压电层，形成于该阻障层上，并与该阻障层连接，该压电层具有一压电层能带间隙，其中，该压电层能带间隙、该阻障层能带间隙、与该半导体层能带间隙之间，相互间具有一部分相互重叠与另一部分相互不重叠；一栅极，形成于该压电层上，用以接收一栅极电压，进而导通或不导通该高电子迁移率晶体管；以及一源极与一漏极，分别形成于该栅极两侧；其中，该压电层分别与该源极及该漏极之间，由该阻障层隔开，使得于除压电层下方外的半导体层与阻障层的至少一部分接面，形成一二维电子云，且该二维电子云与该源极及该漏极电连接。