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Structure d'encapsulation pourvue d'un capot et d'un substrat, pour connecter au moins un nano-objet sur une face du substrat et en reprendre le contact au travers du capot, et procédé de fabrication de la structure. Cette structure, qui s'applique notamment à la fabrication de systèmes de type « Beyond CMOS », comprend : un substrat (74) ayant des première et deuxième faces opposées, un capot (80) ayant des première et deuxième faces opposées, la première face du capot étant fixée à la première face du substrat, au moins une cavité (86) définie entre le capot et le substrat, au moins un nano-objet (72) dans la cavité, et des premières zones dopées (88, 90) qui sont formées dans le substrat, au niveau de la première face de celui-ci, le nano-objet étant électriquement relié aux premières zones dopées. Selon l'invention, la structure comprend en outre : des deuxième zones dopées (92, 96) qui sont formées dans le capot, au niveau de la première face de celui-ci, et qui sont au moins partiellement en contact direct avec les premières zones dopées, et des moyens de reprise de contact (96, 98) qui vont de la première à la deuxième face du capot et débouchent sur les deuxième zones dopées. |
