发明名称 去耦合元件及其制造方法
摘要 一种去耦合元件包括:导线架、多个电容单元、保护层以及封装元件。导线架包括:阴极端子部,及位于阴极端子部的两端而彼此对向的至少两个阳极端子部,两阳极端子部是利用导电线而彼此电性相连。多个电容单元相互并联且设置在导线架上,每一电容单元具有彼此对向的阴极部与阳极部,阴极部电性连接到阴极端子部,阳极部电性连接到阳极端子部。保护层至少包覆电容单元的阳极部与阴极部至少其中之一。封装元件覆盖导线架、电容单元以及保护层,且封装元件露出导线架的底面。
申请公布号 CN103107021B 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201110447553.8 申请日期 2011.12.23
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 潘苡秀;郑宇庭;蔡丽端;陈启伦;郑丞良
分类号 H01G9/048(2006.01)I;H01G9/15(2006.01)I;H01G9/26(2006.01)I 主分类号 H01G9/048(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 祁建国;梁挥
主权项 一种去耦合元件,包括:一导线架,包括:一阴极端子部,及位于该阴极端子部的两端而彼此对向的至少两个阳极端子部,两个所述阳极端子部是利用一导电线而彼此电性相连,该导线架具有一第一水平面;以及多个电容单元,所述电容单元彼此相互并联且设置在该导线架上,每一所述电容单元具有彼此对向的一阴极部与一阳极部,该阴极部电性连接到该阴极端子部,该阳极部电性连接到该阳极端子部,所述多数个电容单元是以多个为一组的方式,沿着一第二水平面而排列成一电容单元组,该第二水平面平行于该第一水平面;一保护层,完全包覆所述电容单元的该阳极部与该阴极部至少其中之一;以及一封装元件,覆盖该导线架、所述电容单元以及该保护层,且该封装元件露出该导线架的底面。
地址 中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号