| 发明名称 | 一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法，该方法包括如下步骤：（1）清洗硅片，去除表面杂质和氧化层；（2）在硅片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘；（3）用PDMS模板作为压印模板，进行压印工艺，得到光刻胶半球阵列结构；（4）用氧等离子体进行刻蚀，得到跨尺度的光刻胶阵列结构；（5）将跨尺度的光刻胶阵列结构进行热解，得到三维跨尺度碳电极阵列结构。该方法简单，便于控制，重复性好，制备的碳电极阵列结构稳定，具有大的比表面积和良好的生物兼容性，可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物芯片和微型传感器等微机电系统领域。 | ||
| 申请公布号 | CN103588165B | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201310617991.3 | 申请日期 | 2013.11.27 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 汤自荣;蒋淑兰;史铁林;夏奇;高阳;龙胡;爽 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/04(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人 | 朱仁玲 |
| 主权项 | 一种三维跨尺度碳电极阵列结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)清洗硅片，去除表面杂质和氧化层；(2)在硅片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘；(3)用PDMS模板作为压印模板，进行压印工艺，得到光刻胶半球阵列结构；(4)用氧等离子体进行刻蚀，得到跨尺度的光刻胶阵列结构；(5)将跨尺度的光刻胶阵列结构进行热解，得到三维跨尺度碳电极阵列结构。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||