TVS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种TVS器件，利用在外延层中刻蚀沟槽并填入本征多晶硅及重掺杂的多晶硅以引出电极，使其耗尽区宽度增大，电容减小。本发明还公开了所述TVS器件的制造方法。

主权项

一种TVS器件，其特征在于：在P型低阻衬底上具有重掺杂的P型埋层，P型埋层之上具有隔离区，隔离出第一隔离阱和第二隔离阱：所述第一隔离阱中，从下至上依次为重掺杂N型埋层，所述N型埋层是与P型衬底上的P型埋层接触，N型埋层之上是N型外延层，所述N型外延层呈上细下粗的凸字形状，其两肩的区域是两沟槽，两沟槽内从下之上依次填充本征多晶硅及重掺杂的P型多晶硅引出埋层电极；所述第二隔离阱中，从下至上依次为P型外延层，所述P型外延层是与P型衬底上的P型埋层接触，且所述P型外延层也呈上细下粗的凸字形状，其两肩的区域是两沟槽，两沟槽内从下至上依次填充本征多晶硅及重掺杂的N型多晶硅引出电极。