| 发明名称 | 碳化硅半导体元件以及碳化硅半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 在n<sup>-</sup>型碳化硅基板(1)的表面选择性地形成红外线吸收膜(8)，在n<sup>-</sup>型碳化硅基板(1)上，在除红外线吸收膜(8)的形成区域以外的区域依次选择性地形成包括铝的p型接触图案(9)和包括镍的Ni图案(10)之后，通过快速退火处理对n<sup>-</sup>型碳化硅基板(1)进行加热，形成包括p型接触图案(9)和硅化的Ni图案(10)的欧姆电极。 | ||
| 申请公布号 | CN105493245A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201480048187.0 | 申请日期 | 2014.08.08 |
| 申请人 | 富士电机株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所 | 发明人 | 内海诚;酒井善行;福田宪司;原田信介;岡本光央 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/26(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 王颖;金玉兰 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体元件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在碳化硅半导体基板的表面选择性地形成红外线吸收膜；在所述碳化硅半导体基板上的除所述红外线吸收膜的形成区域以外的区域依次形成铝膜和镍膜；以及通过预定升温速率的快速退火处理，在所述碳化硅半导体基板均匀地形成电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||