发明名称 用于生成带隙基准电压的电路和方法
摘要 提供了一种用于生成带隙基准电压的电路和方法。所述电路包括:双极型组件,包括串联的第一电阻与第一支路,所述第一支路与第二支路并联,所述第一支路包括基极耦接到固定电压的第一双极型晶体管,所述第二支路包括基极耦接到固定电压的第二双极型晶体管以及与所述第二晶体管串联的第二电阻;以及用于平衡所述第一支路和所述第二支路中的电流的模块,其中在所述第一电阻的一端提供所述基准电压。
申请公布号 CN103677037B 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201210341692.7 申请日期 2012.09.11
申请人 意法半导体研发(上海)有限公司 发明人 A·波特拜克尔;蔡洁
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 郑立柱
主权项 一种用于生成带隙基准电压的电路,其特征在于,包括:双极型组件,包括串联的第一电阻与第一支路,所述第一支路与第二支路并联,所述第一支路包括基极耦接到固定电压的第一双极型晶体管,所述第二支路包括基极耦接到固定电压的第二双极型晶体管以及与所述第二双极型晶体管串联的第二电阻;以及用于平衡所述第一支路和所述第二支路中的电流的模块,其中在所述第一电阻的一端提供所述基准电压;所述双极型组件还包括:与所述第一双极型晶体管并联的至少一个双极型晶体管,所述至少一个双极型晶体管被配置为使得所述至少一个双极型晶体管以及所述第一双极型晶体管的集电极面积的总和等于所述第二双极型晶体管的集电极面积,其中,所述至少一个双极型晶体管还包括:第三双极型晶体管,所述第三双极型晶体管的基极和发射极被连接到所述第一双极型晶体管的基极,所述第三双极型晶体管的集电极被连接到所述第一双极型晶体管的集电极。
地址 200241 上海市闵行区紫竹科学园紫海路88号