通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片

摘要

本发明公开了一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明所得到的通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光片具有以下特性：T＝50％3650±50nm、4950±50nm；3750～4850nm，Tavg≥92％；3950～4700nm，T≥90％；1500～3450nm、5200～7000nm，T≤1％。

主权项

一种通过带为3600‑4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板(2)，以Ge、SiO为第一镀膜层(1)和以Ge、ZnS为第二镀膜层(3)，且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间，其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有380nm厚度的Ge层、250nm厚度的SiO层、123nm厚度的Ge层、644nm厚度的SiO层、129nm厚度的Ge层、185nm厚度的SiO层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、157nm厚度的SiO层、242nm厚度的Ge层、562nm厚度的SiO层、512nm厚度的Ge层、583nm厚度的SiO层、434nm厚度的Ge层、922nm厚度的SiO层、346nm厚度的Ge层、1019nm厚度的SiO层、345nm厚度的Ge层、1027nm厚度的SiO层、383nm厚度的Ge层、495nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有260nm厚度的Ge层、179nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、196nm厚度的ZnS层、114nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、113nm厚度的Ge层、203nm厚度的ZnS层、176nm厚度的Ge层、242nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、427nm厚度的ZnS层、115nm厚度的Ge层、226nm厚度的ZnS层、232nm厚度的Ge层、139nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、978nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、950nm厚度的ZnS层、590nm厚度的Ge层、975nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层。