| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构的顶部和侧壁以及所述半导体衬底上形成富氧衬垫层；在所述富氧衬垫层上循环进行可流动的介电材料的沉积操作和固化处理操作，以形成层间介电层；以及进行退火处理。根据本发明提供的半导体器件的制造方法，采用了富氧衬垫层，其可以促进可流动的介电材料的转变，避免在层间介电层中留下空洞，并且无需增加高温热退火处理来改善介电层的间隙填充。因此，本方法可以提高介电层的间隙填充能力，改善介电层的质量而无需增加热预算。 | ||
| 申请公布号 | CN105489605A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201410537804.5 | 申请日期 | 2014.10.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 曾以志;赵杰;邓浩;严琰 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构的顶部和侧壁以及所述半导体衬底上形成富氧衬垫层；在所述富氧衬垫层上循环进行可流动的介电材料的沉积操作和固化处理操作，以形成层间介电层；以及进行退火处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||