一种垂直结构LED芯片的制备工艺

摘要

本发明公开了一种垂直结构LED芯片的制备工艺，包括以下步骤：1)在键合衬底表面上制备第一键合金属层；2)利用第一次光刻在氮化镓体系外延层的单位区域上依次制备反射镜、P面欧姆接触金属层和第二键合金属层；3)将第一键合金属层与第二键合金属层键合在一起；4)制备得到湿法腐蚀保护层；5)获得氮化镓体系外延层有效工作区域；6)在氮化镓体系外延层有效工作区域、反射镜、P面欧姆接触金属层和第二键合金属层的周向上制备得到钝化保护层；7)利用第三次光刻在氮化镓体系外延层有效工作区域上暴露出N电极层区域，然后利用湿法腐蚀方法将该处钝化保护层去除，在N电极层区域制备N面电极层，得到垂直结构LED芯片。

主权项

一种垂直结构LED芯片的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)在键合衬底(301)表面上制备第一键合金属层(204)，同时在异质衬底(11)上完成氮化镓体系外延层(12)生长并对氮化镓体系外延层(12)进行单位区域划分；2)利用第一次光刻在氮化镓体系外延层(12)的单位区域上依次制备反射镜(202)、P面欧姆接触金属层(203)和第二键合金属层(208)；3)将键合衬底(301)表面上的第一键合金属层(204)与异质衬底(11)上的第二键合金属层(208)键合在一起，然后利用衬底转移去除异质衬底(11)；4)在氮化镓体系外延层(12)、反射镜(202)、P面欧姆接触金属层(203)和第二键合金属层(208)的周向上制备得到湿法腐蚀保护层(205)；5)利用第二次光刻在氮化镓体系外延层(12)上将有效工作区域之外的湿法腐蚀保护层(205)暴露出来，然后利用湿法腐蚀方法分别将该处湿法腐蚀保护层(205)和氮化镓体系外延层(12)去除，并将残留湿法腐蚀保护层(205)和光刻胶去除，获得氮化镓体系外延层(12)有效工作区域；6)在氮化镓体系外延层(12)有效工作区域、反射镜(202)、P面欧姆接触金属层(203)和第二键合金属层(208)的周向上制备得到钝化保护层(206)；7)利用第三次光刻在氮化镓体系外延层(12)有效工作区域上暴露出N电极层区域，然后利用湿法腐蚀方法将该处钝化保护层(206)去除，在N电极层区域制备N面电极层(207)，得到垂直结构LED芯片。