发明名称 具有双重图案化金属层结构的位格
摘要 本发明涉及具有双重图案化金属层结构的位格,揭示一种用于提供具有双重图案化金属层结构的SRAM位格的方法。具体实施例包括:经由第一图案化制程,提供字线结构、接地线结构、电源线结构或彼等的组合;以及经由第二图案化制程,提供紧邻该字线结构、该接地线结构、该电源线结构或彼等的组合的位线结构。具体实施例包括:提供作为该字线结构的第一接着垫,以及作为该接地线结构的第二接着垫;以及提供有第一端边及第一侧边的该第一接着垫,以及有第二端边及第二侧边的该第二接着垫,其中该第一侧边面向该第二侧边。
申请公布号 CN105489604A 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201610037524.7 申请日期 2013.09.10
申请人 格罗方德半导体公司 发明人 J·金;M·拉希德
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;王锦阳
主权项 一种存储器装置,包含:具有第一端边及第一侧边的至少一个字线结构;具有第二端边及第二侧边的至少一个接地线结构;至少一个电源线结构;以及紧邻该至少一个字线结构、该至少一个接地线结构及该至少一个电源线结构的至少一个位线结构;该至少一个字线结构、该至少一个接地线结构、该至少一个电源线结构及该至少一个位线结构一并提供至少一个双重图案化金属层结构,其中,该至少一个双重图案化金属层结构连接于主动区及栅极触点;其中,该第一侧边面向该第二侧边;其中,该第一端边垂直于该第一侧边且该第二端边垂直于该第二侧边;以及其中,该至少一个位线结构具有第三端边与第三侧边,以及该第一及该第二端边平行于该第三侧边。
地址 英属开曼群岛大开曼岛