发明名称 LED芯片及其制作方法
摘要 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法,在制作LED芯片的过程中,形成一磁性层及将磁性层固定在磁铁上,并且,在采用等离子刻蚀工艺对外延层的切割坑道进行刻蚀的过程中,对磁铁进行冷却处理,迅速将等离子刻蚀工艺产生的大量热量通过磁铁导出,提高了散热效率,进而提高了刻蚀的均匀度,避免了柔性基底弯曲、刻蚀速率不均等情况,提高了产品的良率;同时,通过在柔性基底一侧形成磁性层并固定于磁铁上,利用磁性层与磁铁间互相吸引的特性使LED晶圆平整贴合于非磁性背板上,进一步避免了柔性基底弯曲的情况。
申请公布号 CN105489530A 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201510865501.0 申请日期 2015.12.02
申请人 佛山市国星半导体技术有限公司 发明人 曾国涛;谭振贤
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种LED芯片的制作方法,包括:提供一基材,所述基材包括:衬底;位于衬底任意一表面的外延层,所述外延层被多个切割坑道分割为多个发光微结构,且所述切割坑道内填充有隔离材料;以及,位于所述外延层背离所述衬底一侧的导电反射层;在所述导电反射层背离所述衬底一侧形成柔性基底;在所述柔性基底背离所述衬底一侧形成磁性层;将所述衬底自所述外延层表面剥离形成LED晶圆;将所述LED晶圆放置在非磁性背板上,再将磁铁放置在所述非磁性背板背离LED晶圆一侧;采用等离子刻蚀工艺对所述外延层的切割坑道进行刻蚀,以去除所述隔离材料并将所述切割坑道扩大至预设宽度,且同时对磁铁进行冷却处理;移除所述磁铁,使所述非磁性背板自行与所述LED晶圆分离;在所述发LED晶圆对应的外延层背离所述磁铁一侧形成连接电极;沿所述切割坑道对所述LED晶圆进行切割,以得到多个LED芯片。
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