| 发明名称 | 一种大功率金属单列直插封装对称晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种大功率金属单列直插封装对称晶体管，包括衬底、发光层、渐变层以及NPN和PNP结构，NPN结构与PNP结构对称排列在衬底上，NPN的三极管的集电极与PNP的三极管的基极连接在一起，NPN三级管的基极与PNP三极管的发射极连接在一起，而NPN三极管的发射极与PNP三极管的集电极连接在一起；衬底为无机非金属材料衬底；硅衬底设有凹槽，所述发光层形成于NPN和PNP结构之上，所述渐变层为氮化铟铝镓渐变层，形成于发光层之上。 | ||
| 申请公布号 | CN205159329U | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201520957336.7 | 申请日期 | 2015.11.26 |
| 申请人 | 沈阳飞达电子有限公司 | 发明人 | 王开敏;张伟;裴立新;毛晶 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人 | 侯蔚寰 |
| 主权项 | 一种大功率金属单列直插封装对称晶体管，其特征在于：包括衬底、发光层、渐变层以及NPN和PNP结构，NPN结构与PNP结构对称排列在衬底上，NPN的三极管的集电极与PNP的三极管的基极连接在一起，NPN三级管的基极与PNP三极管的发射极连接在一起，而NPN三极管的发射极与PNP三极管的集电极连接在一起；衬底为无机非金属材料衬底；硅衬底设有凹槽，所述发光层形成于NPN和PNP结构之上，所述渐变层为氮化铟铝镓渐变层，形成于发光层之上。 | ||
| 地址 | 110032 辽宁省沈阳市皇姑区鸭绿江街49-1 | ||