| 发明名称 | 一种提高真空沿面闪络电压的绝缘介质及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种提高真空沿面闪络电压的绝缘介质及其制备方法，包括酚酞与半结晶聚合物材料；假设酚酞的量为a，半结晶聚合物材料的量为b，则按质量分数计，0<a≤5％，95％≤b<100％。绝缘介质制备方法，包括以下步骤：1)、将酚酞与半结晶聚合物材料在50℃～80℃下烘干；2)、将烘干后的半结晶聚合物材料加热至熔融态；3)、向熔融态的半结晶聚合物材料中加入酚酞，两者熔融共混30～50min，得到复合材料；4)、将复合材料挤出，并自然冷却至室温；5)、将冷却后的复合材料热压成型，得到绝缘介质试样。本发明能够显著的提高绝缘介质真空沿面闪络电压，且工艺难度低、可操作性强、可靠性高，能够广泛运用于高压绝缘材料领域。 | ||
| 申请公布号 | CN105489322A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201510981032.9 | 申请日期 | 2015.12.23 |
| 申请人 | 西安交通大学;国网智能电网研究院 | 发明人 | 李盛涛;聂永杰;茹佳胜;张翀;邢照亮 |
| 分类号 | H01B17/42(2006.01)I;H01B17/50(2006.01)I;H01B3/18(2006.01)I;H01B19/04(2006.01)I | 主分类号 | H01B17/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 徐文权 |
| 主权项 | 一种提高真空沿面闪络电压的绝缘介质，其特征在于，包括酚酞与半结晶聚合物材料；假设酚酞的量为a，半结晶聚合物材料的量为b，则按质量分数计，0<a≤5％，95％≤b<100％。 | ||
| 地址 | 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 | ||