发明名称 一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构
摘要 本发明具体涉及一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构。本发明是一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构,所述的二维电子气结构是CdTe沿其晶体的极性面(111),(100)和(211)生长在PbTe表面上或PbTe生长在CdTe晶体的极性面(111),(100)和(211)上,其界面由于电荷转移形成高浓度二维电子气。本发明的CdTe/PbTe界面二维电子气是由异质结极性界面特性产生的,它不需要人为掺杂,它不仅具有高的电子密度,而且还具有高的电子迁移率,例如77K温度下的电子迁移率是块体CdTe材料三倍多。利用高的电子密度和高迁移率特性,可以提高晶体管的功率和速度;可以降低CdTe太阳电池中CdTe与金属的接触电阻;可以增强窄带隙半导体红外发光的强度,效果十分明显。
申请公布号 CN103413827B 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201310237234.3 申请日期 2013.06.13
申请人 浙江大学 发明人 吴惠桢;蔡春锋;金树强;张兵坡
分类号 H01L29/778(2006.01)I;H01L31/072(2012.01)I 主分类号 H01L29/778(2006.01)I
代理机构 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人 唐银益
主权项 一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构,其特征在于,所述的二维电子气结构是CdTe沿其晶体的极性面(111)生长在PbTe表面上或PbTe生长在CdTe晶体的极性面(111)上,其界面由于电荷转移形成高浓度二维电子气。
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