发明名称 |
光致发光半导体纳米晶体基发光太阳能聚光体 |
摘要 |
本公开描述了发光太阳能聚光体,其包括光致发光纳米颗粒。该光致发光纳米颗粒包括敏化缺陷的发光的半导体纳米晶体。该缺陷可以包括例如原子、原子团或晶格空位。该缺陷可以纳入到半导体纳米晶体中,吸附于半导体纳米晶体的表面上,或以其他方式与半导体纳米晶体的表面相关。 |
申请公布号 |
CN105493290A |
申请公布日期 |
2016.04.13 |
申请号 |
CN201480041503.1 |
申请日期 |
2014.07.01 |
申请人 |
西华盛顿大学;华盛顿大学商业中心 |
发明人 |
K·E·诺勒斯;D·佩特瑞克;J·基波尔特森;S·麦克唐维尔;C·埃里克森;D·R·盖梅林;L·布拉德肖;E·J·麦克劳琳 |
分类号 |
H01L29/36(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/36(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
李跃龙 |
主权项 |
发光太阳能聚光体,包括:(a)多个光致发光纳米颗粒,每个包括:(i)半导体纳米晶体;和(ii)纳米晶体缺陷,其中所述纳米晶体缺陷和半导体纳米晶体组合从而产生光致发光效应,且其中所述缺陷选自原子、原子团、晶格空位及其任何组合;和(b)波导材料,其具有悬于其中或涂覆到波导材料的表面的多个光致发光纳米颗粒。 |
地址 |
美国华盛顿 |