| 发明名称 | 波长转换的半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 在本发明的实施例中，一种发光器件包括半导体结构，该半导体结构包括设置在n型区与p型区之间的发光层。第一波长转换层设置在由发光层发射的光的路径中。第一波长转换层可以是波长转换陶瓷。第二波长转换层被熔合至第一波长转换层。第二波长转换层可以是设置在玻璃中的波长转换材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105493301A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201480049378.9 | 申请日期 | 2014.07.03 |
| 申请人 | 皇家飞利浦有限公司 | 发明人 | A.D.施里克;O.B.什彻金;H.H.蔡;P.J.施米德特 |
| 分类号 | H01L33/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李静岚;景军平 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：包括设置在n型区与p型区之间的发光层的半导体结构；设置在由所述发光层发射的光的路径中的第一波长转换层，其中所述第一波长转换层包括波长转换陶瓷；以及熔合至所述第一波长转换层的第二波长转换层，其中所述第二波长转换层包括设置在玻璃中的波长转换材料。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||