发明名称 |
強誘電性電界効果トランジスタデバイス |
摘要 |
A method of controlling ferroelectric characteristics of integrated circuit device components includes forming a ferroelectrically controllable dielectric layer over a substrate; and forming a stress exerting structure proximate the ferroelectrically controllable dielectric layer such that a substantially uniaxial strain is induced in the ferroelectrically controllable dielectric layer by the stress exerting structure; wherein the ferroelectrically controllable dielectric layer comprises one or more of: a ferroelectric oxide layer and a normally non-ferroelectric material layer that does not exhibit ferroelectric properties in the absence of an applied stress. |
申请公布号 |
JP5902147(B2) |
申请公布日期 |
2016.04.13 |
申请号 |
JP20130502613 |
申请日期 |
2011.03.15 |
申请人 |
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションINTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク |
发明人 |
デュブルデュー、キャサリン、エー.;フランク、マーティン、エム. |
分类号 |
H01L21/8246;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/105;H01L29/78;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/8246 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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