处理多晶硅还原尾气的系统

摘要

本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的系统，包括：第一冷凝装置，适于将多晶硅还原尾气进行第一冷凝；膜分离装置，与第一冷凝装置相连，适于对经过第一冷凝的多晶硅还原尾气进行分离处理，其中，膜分离装置具有有机渗透膜，氢气选择性透过有机渗透膜；还原装置，与膜分离装置相连，适于使氢气与三氯氢硅进行还原反应；第二冷凝装置，与膜分离装置相连，适于将混合气体进行第二冷凝；吸附-脱附装置，与第二冷凝装置相连，适于将不凝气进行吸附处理和脱附处理，得到氢气和含有氯硅烷和氯化氢的混合物；以及氢化装置，与吸附-脱附装置相连，适于将含有氯硅烷和氯化氢的混合物与四氯化硅进行氢化反应。该系统可以显著降低能耗和设备投资成本。

主权项

一种处理多晶硅还原尾气的系统，其特征在于，包括：第一冷凝装置，所述第一冷凝装置适于将所述多晶硅还原尾气进行第一冷凝处理，以便得到经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气；膜分离装置，所述膜分离装置与所述第一冷凝装置相连，适于对所述经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气进行分离处理，以便分别得到氢气和混合气体，其中，所述膜分离装置具有有机渗透膜，所述氢气选择性透过所述有机渗透膜；还原装置，所述还原装置与所述膜分离装置相连，适于使所述氢气与三氯氢硅进行还原反应，以便得到单质硅；第二冷凝装置，所述第二冷凝装置与所述膜分离装置相连，适于将所述混合气体进行第二冷凝处理，以便得到氯硅烷冷凝液和不凝气；吸附‑脱附装置，所述吸附‑脱附装置与所述第二冷凝装置相连，适于将所述不凝气进行吸附处理和脱附处理，以便得到氢气和含有氯硅烷和氯化氢的混合物，并将所述氢气的一部分供给至所述还原装置；氢化装置，所述氢化装置与吸附‑脱附装置相连，适于将所述含有氯硅烷和氯化氢的混合物与四氯化硅进行氢化反应，以便得到三氯氢硅；以及第二压缩装置，所述第二压缩装置与所述吸附‑脱附装置和所述氢化装置相连，适于在将所述含有氯硅烷和氯化氢的混合物与四氯化硅进行氢化反应之前，预先对所述含有氯硅烷和氯化氢的混合物进行第二压缩处理，其中，所述膜分离装置的进气侧压力大于所述膜分离装置的出气侧压力，并且所述膜分离装置的出气侧压力为0.1～0.2MPa，所述第一冷凝处理是在温度为30～50摄氏度和压力为0.5～0.6MPa的条件下进行的，所述第二冷凝处理包括一级冷凝处理和二级冷凝处理，其中，所述一级冷凝处理是在温度为‑30～‑10摄氏度和压力为0.5～0.6MPa的条件下进行的，所述二级冷凝器处理是在温度为‑40～‑30摄氏度和压力为1.0～1.2MPa的条件下进行的，所述第二压缩处理是在1.9～3.0MPa的压力下进行的。