发明名称 转印方法及热纳米压印装置
摘要 使用微细图案形成用膜(II),在被处理体(20)上转印赋予以下第1掩模层(13)及第2掩模层(12),所述微细图案形成用膜(II)具有在一侧的表面上形成有纳米尺度的凹凸结构(儿)的覆盖膜(10)、设置于所述凹凸结构(11)的凹部内部的第2掩模层(12)、覆盖所述凹凸结构(11)及所述第2掩模层(12)而设置的第1掩模层(13);此处,使设置有第1掩模层(13)的表面朝向所述被处理体(20)的表面,按压微细图案形成用膜(II),对第1掩模层(13)照射能量射线,接着,将覆盖膜(10)从第2掩模层(12)及第1掩模层(13)上分离。此处,按压和能量射线照射分别独立进行。使用第2掩模层(12)及第1掩模层(13),蚀刻被处理体(20)。
申请公布号 CN104271332B 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201380024210.8 申请日期 2013.04.30
申请人 旭化成电子材料株式会社 发明人 细见尚希;古池润;山口布士人
分类号 B29C59/04(2006.01)I;B29C65/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;B29L7/00(2006.01)I 主分类号 B29C59/04(2006.01)I
代理机构 上海市华诚律师事务所 31210 代理人 李晓
主权项 一种转印方法,使用微细图案形成用膜,在被处理体上转印赋予以下第1掩模层及第2掩模层,所述微细图案形成用膜具有在一侧的表面上形成有纳米尺度的凹凸结构的覆盖膜、设置于所述凹凸结构的凹部内部的第2掩模层、覆盖所述凹凸结构及所述第2掩模层而设置的第1掩模层;其特征在于,所述转印方法,至少按以下顺序含有:使设置有所述第1掩模层的表面朝向所述被处理体的表面,按压所述微细图案形成用膜的按压工序,对所述第1掩模层照射能量射线的能量射线照射工序,及将所述覆盖膜从所述第2掩模层及所述第1掩模层移除的脱模工序,同时,所述按压工序和所述能量射线照射工序分别独立进行。
地址 日本国东京都千代田区神田神保町一丁目105番地