晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种晶体管，例如，FinFET，该晶体管包括设置在基板之上的栅极结构。栅极结构具有宽度以及限定栅极结构的两个相对侧壁的长度和高度。晶体管还包括:至少一个导电沟道，设在源极区域和漏极区域之间且通过栅极结构的侧壁；电介质层，设置在栅极结构之上以及导电沟道的在栅极结构外侧的部分之上；以及气隙，设在电介质层下。气隙设置为相邻于栅极结构的侧壁且用于减小晶体管的寄生电容。本发明还公开了制造该晶体管的至少一种方法。

主权项

一种晶体管，包括：栅极结构，设置在基板之上，所述栅极结构具有宽度以及限定所述栅极结构的两个相对侧壁的长度和高度；至少一个导电沟道，形成在源极区域和漏极区域之间且通过所述栅极结构的所述侧壁；电介质层，设置在所述栅极结构上及所述导电沟道的在所述栅极结构外侧的部分之上；以及气隙，在所述电介质层之下，所述气隙设置为相邻于所述栅极结构的所述侧壁，并且介于所述栅极结构的所述侧壁和相对的硅化物层的侧壁表面之间，其中所述硅化物层在所述导电沟道之上，所述导电沟道部分位于所述栅极结构外侧。