发明名称 一种p型硅太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明提供了一种p型硅太阳能电池及其制备方法。所述p型硅太阳能电池包括p型硅衬底,在p型硅衬底的正面制有n<sup>+</sup>掺杂层和减反射层,穿过所述减反射层制有正面电极,正面电极与n<sup>+</sup>掺杂层相接;在所述p型硅衬底的背面制有背面钝化层,所述背面钝化层包括由铁电薄膜材料或掺杂的铁电薄膜材料制成的膜层,在背面钝化层上通过印刷、烧结工艺制有背面电极。本发明采用铁电薄膜材料作为电池背面钝化层的主要材料,可以很好地改善电池的开路电压和短路电流,提高电池的转换效率。
申请公布号 CN105489708A 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201610030388.9 申请日期 2016.01.18
申请人 河北大学 发明人 麦耀华;陈兵兵;陈剑辉;许颖;代秀红;刘保亭
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/068(2012.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 代理人 胡素梅;白海静
主权项 一种p型硅太阳能电池,其特征是,包括p型硅衬底,在所述p型硅衬底的正面制有n<sup>+</sup>掺杂层,在所述n<sup>+</sup>掺杂层上制有减反射层;在所述减反射层上通过印刷、烧结工艺制有正面电极,所述正面电极穿过所述减反射层与所述n<sup>+</sup>掺杂层相接;在所述p型硅衬底的背面制有背面钝化层,所述背面钝化层包括由铁电薄膜材料或掺杂的铁电薄膜材料制成的膜层,在所述背面钝化层上通过印刷、烧结工艺制有背面电极。
地址 071002 河北省保定市北市区五四东路180号河北大学
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