处理被处理体的方法

摘要

本发明提供一种处理被处理体的方法，其能够提高多重图案形成法中掩模尺寸的控制性。在一实施方式的方法中，执行在第一掩模和防反射膜上形成氧化硅膜的步骤。在该步骤中，交替地生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体和包含氧气的第二气体的等离子体。接着，以仅残留形成于第一掩模的侧面上的区域的方式除去氧化硅膜的其他区域。接着，除去第一掩模。然后，对防反射膜和有机膜进行蚀刻。

主权项

一种处理被处理体的方法，其特征在于：所述被处理体包括被蚀刻层、设置在该被蚀刻层上的有机膜、设置在该有机膜上的含硅防反射膜和由抗蚀剂材料构成的设置在所述防反射膜上的第一掩模，所述处理被处理体的方法包括：在收纳有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，在所述第一掩模和所述防反射膜上形成氧化硅膜的步骤，该氧化硅膜包括形成于所述第一掩模的上表面上的第一区域、形成于所述防反射膜上的第二区域和形成于所述第一掩模的侧面上的第三区域；利用在所述处理容器内产生的等离子体除去所述第一区域和所述第二区域而形成基于所述第三区域的第二掩模的步骤；利用在所述处理容器内产生的等离子体除去所述第一掩模的步骤；利用在所述处理容器内产生的等离子体对所述防反射膜进行蚀刻的步骤；和利用在所述处理容器内产生的等离子体对所述有机膜进行蚀刻而形成由该有机膜构成的第三掩模的步骤，所述形成氧化硅膜的步骤通过执行包括下述步骤的流程来成膜氧化硅膜：在收纳有所述被处理体的所述处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体来形成反应前驱体的第一步骤；对所述处理容器内的空间进行吹扫的第二步骤；在所述处理容器内生成含有氧气的第二气体的等离子体来形成氧化硅膜的第三步骤；和对所述处理容器内的空间进行吹扫的第四步骤。