用于半导体制造中的可流动沉积的系统和装置

摘要

本申请涉及用于半导体制造中的可流动沉积的系统和装置。描述用于可流动间隙填充的电子器件制造工艺、装置和系统或可流动沉积技术。在一些实施中，描述一种半导体制造腔室，所述半导体制造腔室经配置以将半导体晶片维持在接近0℃的温度，同时将所述制造腔室中的大多数其它组件维持在约5℃到10℃或高于晶片温度的温度。

主权项

一种晶片支撑装置，其包括：卡盘；其中：所述卡盘包含顶表面、底表面和外表面；所述顶表面与所述底表面实质上平行于彼此，且偏离彼此；所述外表面位于所述顶表面与所述底表面之间；且所述顶表面经配置以支撑半导体晶片；以及外壳；其中：所述外壳包含外壁和连接到所述外壁的外壳底板；所述外壳底板包含从所述外壁朝向所述外壳底板的中心延伸的第一隔热区，其中所述第一隔热区在一直延伸到所述外壳底板的所述中心之前停止；所述卡盘的所述底表面面向所述外壳底板；所述卡盘的所述底表面和所述外表面实质上处于由所述外壁和所述外壳底板界定的容积内；所述卡盘与所述外壳经配置以作为单一组合件在半导体制造腔室中一起移动；所述卡盘的所述外表面与所述外壳的所述外壁之间无实质热接触；且跨越所述第一隔热区在所述底表面与所述外壳底板之间无实质热接触。