轴向温度梯度可调控的碳化硅单晶生长装置

摘要

本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体是一种适用物理气相输运法生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明将坩埚盖加工成双层壁结构，中间为夹心空层。然后将特制外形的保温材料(完全贴合整个夹心层)放进坩埚盖的空心层。本发明可以根据轴向温度梯度的大小确定合适保温层的厚度分布，从而实现晶体生长速率可控。

主权项

一种用于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚，所述坩埚是包括生长腔室和坩埚盖的分体式结构,其中，坩埚盖为双层壁结构，中间为空心层；且该空心层的厚度随高度是可变的，以根据轴向温度梯度的大小确定合适保温层的厚度分布，从而实现晶体生长速率可控，但又不影响坩埚内原料的温度场分布。