| 发明名称 | 晶片的永久粘合方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及第一衬底(1)的第一接触面(3)与第二衬底(2)的第二接触面(4)的粘合方法，其中第二衬底(2)具有至少一个反应层(7)，所述方法具有下列步骤，尤其是下列过程：-在第一接触面(3)上的储库形成层(6)中形成储库(5)，- 用第一原料物或第一组原料物至少部分填充储库(5)，-使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触以形成预粘合连接，-减薄第二衬底(2)和-在第一和第二接触面(3, 4)之间形成永久粘合，其通过第一原料物与第二衬底(2)的反应层(7)中所含的第二原料物的反应至少部分增强。 | ||
| 申请公布号 | CN103460343B | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201180069928.X | 申请日期 | 2011.04.08 |
| 申请人 | EV 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 发明人 | T.普拉赫;K.欣格尔;M.温普林格;C.弗勒特根 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 石克虎;林森 |
| 主权项 | 第一衬底(1)的第一接触面(3)与第二衬底(2)的第二接触面(4)的粘合方法，其中第二衬底(2)具有至少一个反应层(7)，所述方法具有下列步骤：‑ 在第一接触面(3)上的储库形成层(6)中形成适于容纳第一原料物的储库(5)，‑ 用第一原料物或第一组原料物至少部分填充储库(5)，‑ 减薄第二衬底(2)，‑ 使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触以形成预‑粘合‑连接，和‑ 在第一和第二接触面(3, 4)之间形成永久粘合，其通过第一原料物与第二衬底(2)的反应层(7)中所含的第二原料物的反应至少部分增强，其中在临形成永久粘合之前将储库(5)与反应层(7)之间的平均间距(B)通过减薄制成0.1 nm至15 nm。 | ||
| 地址 | 奥地利圣弗洛里安 | ||