| 发明名称 | 键合的晶片结构 | ||
| 摘要 | 本公开包括键合的晶片结构和形成键合的晶片结构的方法。形成键合的晶片结构的一个示例包括将经由具有与之相关联的预定晶片间隙(216，316)的键合工艺键合在一起的第一晶片(202，302)和第二晶片(204，304)，并在将第一晶片(202，302)与第二晶片(204，304)键合在一起之前，在第一晶片(202，302)上形成台面(215，315，415)，其中基于与键合的晶片结构相关联的目标元件间隙(217，317)确定台面(215，315，415)的高度(220，320，420)。 | ||
| 申请公布号 | CN103503137B | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201180069982.4 | 申请日期 | 2011.05.09 |
| 申请人 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 发明人 | R·L·阿利;D·J·米利根 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L27/20(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马红梅;刘春元 |
| 主权项 | 一种形成键合的晶片结构的方法，该方法包括：经由具有与其相关联的预定的晶片间隙的键合工艺提供将被键合到一起的第一晶片和第二晶片；以及在将第一晶片和第二晶片键合到一起之前，在第一晶片上形成台面，其中基于与键合的晶片结构相关联的目标元件间隙确定介电台面的高度；其中，形成台面包括：在第一晶片表面上形成蚀刻停止材料；在蚀刻停止材料上形成介电材料，介电材料的厚度与介电台面的高度相对应；执行掩模和湿法蚀刻工艺以去除部分介电材料而不是台面的介电材料；以及其中台面包括倾斜的侧壁。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||