氧化锌/硅p-n异质结紫外光探测器及其制备方法

摘要

本发明具体提供了一种纳米氧化锌/硅薄膜形成的p-n异型异质结高性能紫外光探测器。利射频磁控溅射方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜；然后通过掩膜和溅射方法在薄膜表面制备可透光的金属电极层。本发明利用硅/氧化锌异质结的放大效应制备的紫外光探测器具有工艺简单，成本低廉，无需加热器，能在室温下工作，且具有耗能低，灵敏度高，响应、恢复时间短的特点，对紫外光具有良好的检测性能，具有重要的应用前景。

主权项

一种基于氧化锌/硅紫外光探测器，其中，采用具有紫外敏感性的氧化锌/硅p‑n异质结材料，自下而上依次是p型硅基底(1)、纳米氧化锌薄膜(2)、氧化锌薄膜表面的可透光金属电极层(3)，不同波段(365nm～650nm)的单色光(4)，连接铟点电极(负电极)(5)和铟金属层(正电极)(6)，并串联数字源表(7)；电源(8)电压为‑2伏特；在室温条件下、不同波段(365nm～650nm)单色光照射条件下，硅/氧化锌异质结在‑2伏特电压下，对365nm紫外光表现出强的敏感性，在365nm紫外光照下光电流与暗电流之比(开关比)～10000％，其光功率为0.1毫瓦每平方厘米；响应时间与恢复时间～0.125秒。