DDMOS台阶栅氧化层的制造工艺方法

摘要

本发明公开了一种DDMOS台阶栅氧化层实现的工艺方法，其是在DDMOS器件的N阱和P阱注入之后，光刻胶剥离之前，通过光刻胶刻蚀和氧化层湿法刻蚀工艺，使DDMOS器件的阱注入区域的氧化层去除，而漏端扩展区的氧化层得以保留，最终形成台阶状的栅氧化层，即在DDMOS器件的P阱注入区域的栅氧化层与传统的栅氧化层厚度保持一致，而靠近DDMOS器件漏端的栅氧化层厚度得以增加，增加的栅氧化层厚度能有效降低电场，提高器件的耐压和比导通电阻优化度，并且没有新的掩模版的引入，成本得以降低。

主权项

一种DDMOS台阶栅氧化层的制造工艺方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：第1步，在P型硅衬底上进行N阱注入，然后场氧化，涂覆光刻胶并曝光显影，进行P阱注入；第2步，注入工艺之后，通过光刻胶刻蚀使光刻胶开口增加；光刻胶刻蚀开口单边控制在0.2μm～0.4μm之间，确保光刻胶窗口将P阱区完全打开，保证P阱区全部露出；第3步，进行湿法刻蚀，去除开口区域即DDMOS的P阱注入区域的上方的氧化层；第4步，光刻胶剥离，并进行硅片表面清洗；第5步，依传统工艺在整个器件表面生长栅氧化层；第6步，淀积多晶硅栅极并刻蚀，台阶状的栅氧化层及多晶硅栅极制作完毕。