一种带有双面扩散残留层的沟槽栅型IGBT及其制造方法

摘要

本发明公开一种带有双面扩散残留层的沟槽栅型IGBT及其制造方法，该IGBT包括N型基区、P型基区、背P+集电极区、N+发射极区、P+发射极区、栅氧化层、发射极、栅电极和集电极；所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N-漂移区和N+缓冲层组成，P型基区位于N+扩散残留层之上，N+扩散残留层和N+缓冲层从与N-漂移区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。本发明IGBT制造方法的特征在于使用一次双面高温深结扩散在正面和背面同时形成非均匀掺杂的N+层，在N-漂移区正面形成的N+扩散残留层，提高了N型正面的离子掺杂浓度，使电导调制效应增强。在背面的N+缓冲层则减小器件导通压降，提高器件关断时间。该制造方法减少制造IGBT的步骤，降低成本。

主权项

一种带有双面扩散残留层的沟槽栅型IGBT的制造方法，其特征在于，包括：(1)在N型单晶硅两侧通过一次双面高温扩散同时形成第一N+扩散区和第二N+扩散区，所述第一N+扩散区和第二N+扩散区是N+非均匀掺杂区；(2)分别对第一N+扩散区和第二N+扩散区进行减薄加工形成N+扩散残留层和N+缓冲层；(3)在N+扩散残留层上形成P型基区、N+发射极区、P+发射极区，发射极，沟槽位于N+扩散残留层与P型基区两侧，在N+扩散残留层和P型基区两侧的沟槽内依次形成沿沟槽侧壁，端部和底部的栅氧化层以及包含在栅氧化层内的栅电极；(4)在N+缓冲层上通过注入离子并激活形成背P+集电极区，背P+集电极区金属化后形成集电极。