一种铝衬垫制备方法

摘要

本发明提供一种铝衬垫制备方法，通过使用AL/Ti双层膜形成铝衬垫以及使用氮氧化硅作为抗反射层，从而回避了现有技术中刻蚀氮化钛薄膜作为抗反射层时的难以刻蚀问题，又解决了使用氮氧化硅薄膜作为单铝层铝衬垫的抗反射层时造成的钝化层刻蚀中的铝表面损伤问题，避免了在集成电路的后续酸洗工艺中铝衬垫会被酸腐蚀而在表面形成腐蚀坑的现象发生，提高集成电路芯片可靠性。

主权项

一种铝衬垫制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成铝薄膜层、钛薄膜层和氮氧化硅抗反射层，刻蚀氮氧化硅抗反射层、钛薄膜层和铝薄膜层以形成铝衬垫，所述铝衬垫包括铝薄膜层及其上方的钛薄膜层；在所述铝衬垫、氮氧化硅抗反射层以及衬底上方依次形成钝化层、光阻层，并在钝化层需要开口的地方进行光阻层曝光显影，形成开口；以所述光阻层为掩膜，在所述开口内依次进行钝化层、氮氧化硅抗反射层刻蚀，暴露出所述铝衬垫顶面；或者所述制备方法包括:提供衬底，在所述衬底上形成铝薄膜层和钛薄膜层，刻蚀所述钛薄膜层和铝薄膜层以形成铝衬垫，所述铝衬垫包括铝薄膜层及其上方的钛薄膜层；在所述铝衬垫以及衬底上方依次形成氮氧化硅抗反射层、钝化层、光阻层，并在钝化层需要开口的地方进行光阻层曝光显影，形成开口；以所述光阻层为掩膜，在所述开口内依次进行钝化层、氮氧化硅抗反射层刻蚀，暴露出所述铝衬垫顶面。