发明名称 |
一种LED发光芯片的新型倒装结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种LED发光芯片的新型倒装结构,包括衬底,所述衬底下表面设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层,发光层和P型半导体层上设置有暴露出N型半导体层的孔槽,孔槽内部和P型半导体层表面设置有光阻层,光阻层上设置有缺口,N型半导体层和P型半导体层通过缺口分别连接金属电极。本发明还公开了上述LED发光芯片的制备方法。上述LED发光芯片采用光阻层代替SiO<sub>2</sub>钝化层,简化LED芯片的结构;光阻层是采用软性的光刻胶制作而成,抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO<sub>2</sub>更为优秀,能更好的起到保护作用;此外,还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序,提高了LED芯片的生产效率,并降低制造成本。 |
申请公布号 |
CN105489745A |
申请公布日期 |
2016.04.13 |
申请号 |
CN201510864096.0 |
申请日期 |
2015.11.30 |
申请人 |
广东德力光电有限公司 |
发明人 |
郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 |
分类号 |
H01L33/56(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/56(2010.01)I |
代理机构 |
广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 |
代理人 |
冯剑明 |
主权项 |
一种LED发光芯片的新型倒装结构,其特征在于:包括衬底(10),所述衬底(10)下表面设置有由上至下依次排列的N型半导体层(20)、发光层(30)和P型半导体层(40),所述发光层(30)和P型半导体层(40)上通过蚀刻形成暴露出N型半导体层(20)的孔槽,所述孔槽内部和P型半导体层(40)表面设置有由透明绝缘的光刻胶通过曝光形成的光阻层(50),所述光阻层(50)上设置有暴露N型半导体层(20)和P型半导体层(40)的缺口,所述N型半导体层(20)和P型半导体层(40)通过缺口分别连接金属电极。 |
地址 |
529030 广东省江门市高新区彩虹路1号 |