发明名称 一种超导量子干涉器件的封装结构
摘要 本发明提供一种超导量子干涉器件的封装结构,包括:封装槽,底部和侧壁形成有低通滤波层;底板,固定于所述封装槽底部的低通滤波层表面,且制备有器件引出电极;超导量子干涉器件,固定于底板上,并实现电性连接;盖板,密封覆盖于封装槽上形成容置空间,以将超导量子干涉器件封装于该容置空间内,且盖板朝向封装槽的一面形成有低通滤波层,所述低通滤波层包括金属粉末与低温胶的混合物层。本发明在超导量子干涉器件的封装结构中加入由金属纳米粒子构成的屏蔽层,可以有效防止外界射频电磁场进入到超导量子干涉器件中,同时低温胶的绝缘特性使得屏蔽层不能构成导通回路因此不产生金属涡流,从而提高了超导量子干涉器件的稳定性。
申请公布号 CN105489750A 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201610023704.X 申请日期 2016.01.14
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 张栖瑜;王会武;刘全胜;蒋坤;应利良;王镇
分类号 H01L39/04(2006.01)I;H01L39/22(2006.01)I;G01R33/035(2006.01)I 主分类号 H01L39/04(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 罗泳文
主权项 一种超导量子干涉器件的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:封装槽,所述封装槽的底部和侧壁形成有低通滤波层;底板,固定于所述封装槽底部的混合物层表面,且所述底板上制备有器件引出电极;超导量子干涉器件,固定于所述底板上,且所述超导量子干涉器件的芯片电极与所述器件引出电极电性连接;盖板,密封覆盖于所述封装槽上形成容置空间,以将所述超导量子干涉器件封装于该容置空间内,且所述盖板朝向封装槽的一面形成有低通滤波层;其中,所述低通滤波层包括金属粉末与低温胶的混合物层。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号